LAB NEWS
- 邱顯欽教授表示,為促進我國新型半導體材料的發展產業,在高功率及高頻率應用,氮化鎵(GaN)已經是全球最受矚目的材料之一,其寬能隙、高電子遷移率、高電子飽和速度、及高熱穩定等特性為主要優勢。寬能隙特性造就其優異的崩潰電壓與熱穩定,有利於在新世代高壓、高功率通訊元件的操作;高電子飽和速度之特點更利於此元件在高頻率的卓越表現。
_________________________________________________________________________________________________2019/3/11 最新消息
恭賀邱顯欽研發團隊在晶元光電 晶鷹杯科技競賽獲得 創意實作組 創意獎
六吋矽基板氮化鎵電晶體一對多無線充電應用模組
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2018/10/18 最新消息
恭賀邱顯欽研發團隊 周龍億、黃崇榕、林李鴻參加功率半導體材料學生論文海報競賽榮獲第一名論文題目
"Lattice-matched Quaternary InAlGaN/GaN on SiC substrate HEMT with 0.2 µm T-shaped Gate for RF application"
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- 長庚大學工學院電子工程學系邱顯欽教授表示,寬能隙材料氮化鎵材料受惠於台灣在LED 產業大量落實,技術與價格在國際上都非常有競爭力,並且台灣在半導體產業鏈非常的健全,但此材料在電子元件技術發展上仍在開發階段,尚無完整高功率通訊元件產業鏈,須整合國內產、學、研等力量積極發展。
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- 邱顯欽教授表示,寬能隙材料氮化鎵(GaN),受惠於台灣在LED產業的迅速發展,連帶在技術與價格上受到通訊工業界矚目。由於GaN材料具有高崩潰電壓、高電子飽和速率、抗高溫抗輻射等優點,非常適合應用於微波高功率元件與系統上。另外教授指出使用氮化鎵實現無線充電模組,可達到一對多的充電目的,並可將傳輸距離延伸至0.5公尺,以及達到模組小型輕盈化的尺寸,未來配合AI晶片可達成高效率一對多非接觸式無線充電系統。
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2016/11/28 最新消息
賀!邱顯欽研發團隊發展GaN on SOI 基板獲全球最重要化合物半導體期刊專題邀稿
專題名稱 "SOI: A great foundation for the GaN HEMT" 文章連結<--點此
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2016/6/16 最新消息
賀!邱顯欽研發團隊,於6/15-6/17日,參加2016 OPTO Taiwan展示會
在台北南港覽館展出「氮化鎵功率二極體功率元件」、「氮化鎵功率電晶體元件」 文章連結<--點此
- 長庚大學電子系教授、光電所所長邱顯欽研發團隊,於6月15-17日,參加2016 OPTO Taiwan展示會,在台北南港展覽館(攤位號碼:K1127)展出「氮化鎵功率二極體功率元件」、「氮化鎵功率電晶體元件」,效能比矽晶材料提高約3~5%,適用於中高價位的3C消費性電子及伺服器、電腦及週邊組件等產品。
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2015/6/3 最新消息
賀!邱顯欽教授團隊在氮化鎵微波元件上之優秀成果獲得
2015年IEEE Conference on Electron Devices and Solid-Sate Circuits 會議最佳學生壁報獎
"Effects of the Fe-doped GaN Buffer in AlGaN/GaN HEMTs on SiC Substrate"
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2015/5/27 最新消息
賀!邱顯欽教授團隊在氮化鎵功率元件上之優秀成果獲得
2015年美國Compound Semiconductor 會議最佳壁報獎
"Micromachined p-GaN Gate Normally-off Power HEMT with an Optimized Air-bridge Matrix Layout Design"
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"Diamond-like carbon used to improve performance of GaN HEMTs"
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2014/12/9 最新消息
賀!邱顯欽團隊在醫用無線充電模組研究受到經濟日報專訪
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2013/12/12 最新消息
賀!本實驗室將參加2014國際研討會
The 26th Int'l Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs(ISPSD)
"High performance Micromachined GaN on Si HEMT with Backside Diamondlike-Carbon/Titanium Heat Dissipation Layer"
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